3.3 半导体随机存储器

3.3.1 SRAM和DRAM

1、半导体存储芯片的结构

• 存储矩阵：由大量相同的位存储单元阵列构成

• 译码驱动：将来自地址总线的地址信号翻译成对应存储单元的选通信号， 该信号在读写电路的配合下完成对被选中单元的读/写操作

• 读写电路：包括读出放大器和写入电路，用来完成读/写操作

• 地址线：决定CPU访问存储矩阵的哪里，单向输入，位数取决于芯片的容量

• 数据线：进行数据的读写，双向读写，位数取决于芯片能够读/写的位数

• 片选线：用于确定哪一个存储芯片被选中，可以表示为

  • $\overline{\text C \text S}$：芯片选择，低电平有效

  • $\overline{\text C \text E}$：芯片使能，低电平有效

• 读写控制线：可以有一根，也可以有两根

  • 一根

    • $\overline{\text W \text E}$：低电平写有效，高电平读有效

  • 两根

    • $\overline{\text O \text W}$：允许读，低电平有效

    • $\overline{\text W \text E}$：允许写，低电平有效

芯片的容量由地址线和数据线一起决定：

$$芯片的容量 = 2^{地址线根数} \times 数据线根数$$

2、SRAM和DRAM的区别

特点	SRAM	DRAM
存储信息（0、1）	触发器（双稳态）	电容（充放电）
破坏性读出	非	是
需要刷新	不要	需要（电容上的 电荷只能维持2ms）
送行列地址 （行地址，列地址）	同时传送	分两次送
运行速度	块	慢
集成度	低	高
发热量	大	小
存储成本	高	低

3、DRAM的刷新

1）刷新的频率：

一般为2ms

2）每次刷新多少存储单元：

以行为单位，一次刷新一行

使用行列地址的目的：减少选通线

3）如何刷新

通过硬件支持，读出一行的信息后重新写入，占用1个读/写周期

4）何时刷新

假设DRAM内部结构排列成 128X128 的形式，读/写周期0.5μs

• 分散刷新

  • 每读写一次就刷新该行

  • 前0.5μs用于读写、后0.5μs用于刷新

  • 系统的存取周期变为1μs

• 集中刷新

  • 2ms内集中安排时间刷新

  • 例如最后128个周期（64μs）全部用于刷新128行

  • 用于刷新的存储周期内无法访问存储器，称为访存死区

• 异步刷新

  • 将128次刷新平均分布在2ms内

  • 每15.6μs会有一个0.5μs的死时间

4、RAM的读写周期

SRAM的读周期

• $t_{CO}$之前：等待地址线稳定

• $t_{CO}$：片选保持时间

• 数据全部读出之后，在外部总线上稳定的出现，片选信号失效

• $t_{A}$：读出时间

• $t_{RC}$：读周期

• 用一根读写控制线时，WE全程保持高电平

SRAM的写周期

过程原理与读类似，等待信号稳定。

5、地址复用技术

DRAM芯片容量较大，通常采用地址复用技术，即行地址和列地址分两次用同样的地址线输入

• 地址线数量变为一半

• 选通线变为行选通和列选通线共计两根

3.3.2 只读存储器（ROM）

1、ROM的特点

• 断电不丢失信息

• 只读

2、ROM的分类

• 掩膜式只读存储器（MROM）

  • 出厂时写入

• 一次可编程只读存储器（PROM）

  • 通过专门设备一次性写入

• 可擦除可编程只读存储器（EPROM）

  • 修改次数有限

  • 写入时间很长

• 闪速存储器（Flash Memory）

  • 如U盘

• 固态硬盘（Solid State Drives）

  • 控制端元+闪存芯片